截止到2012年1月，ABM公司在世界范围售出了500多台光刻机，50多台单独曝光系统。著名的客户包括美国航天局NASA和INTEL、哈佛大学、LG、美国海军实验室、菲利普、惠普、3M等，ABM在中国各地也拥有不同领域的客户，包括众多的工厂、知名大学和研究所等。
设备型号：ABM/6/350/NUV/DCCD/M
光学系统
曝光时间调解器：0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)；365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环；声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标；有安全保护装置的温度及其气流传感器；全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度；波长滤片检查及安装装置；抗衍射反射功能高效反光镜；二向色的防热透镜装置；防汞灯泄漏装置；配备蝇眼棱镜装置；配备近紫外光源，--220 nm 输出强度 – 大约 8-10 mW/ cm2
--254 nm 输出强度 – 大约 12-14 mW/ cm2
--365 nm 输出强度 – 大约 18-20 mW/ cm2
--400 nm 输出强度 – 大约 30-35 mW/ cm2
主要配置:
6”，8”光源系统可支持2”，3”，4”，6”，8”（圆/方片）及碎片光刻（支持特殊工艺卡盘设计）手动系统，半自动系统, 自动对准系统支持电源350-2000 Watt支持深紫外曝光CCD或显微镜对准系统主要性能指标：:
光强均匀性Beam Uniformity:--<±1% over 2” 区域
--<±2% over 4” 区域
--<±2.5% over 6” 区域
接触式样曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um（验收指标）接触式样曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.25 um（极限指标）正面对准精度±0.5um支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻，特征尺寸：100um-300um支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻支持真空、接近式、接触式曝光支持恒定光强或恒定功率模式光刻线条特征尺寸：
应用实例1：深紫外光源下0.25um线条
Scanning Electron Micrographs 电子显微镜图像Feature Sizes图像尺寸0.25微米线条采用TOK DUV 光刻胶，200nm光学镜，光刻胶厚度0.45微米。曝光时间40秒。