- 高輸出光強
- 350瓦6英寸曝光系統（以365/405/436 nm波段為光源）
365nm輸出光強為– 25-30 mW/cm2
405nm輸出光強為– 50-60 mW/cm2
436nm輸出光強為– 20-25 mW/cm2
- 500瓦6英寸曝光系統（以220/254波段為光源，也可以切換365/405/436反射鏡來獲取單一波長光源）
220nm輸出光強為– 8-10 mW/cm2
254nm輸出光強為– 12-15 mW/cm2
280nm輸出光強為– 15-18 mW/cm2
310nm輸出光強為– 18-20 mW/cm2
365nm輸出光強為– 35-40 mW/cm2
405nm輸出光強為– 65-70 mW/cm2
436nm輸出光強為– 12-15 mW/cm2
- 高解析度以及優良的曝光光強均一性
- 近紫外波長光刻最小線寬製備能力:
（以1.0微米的正膠和近紫外波長為例）
以真空/硬接觸模式曝光可得到的最小線寬<0.5 μm
以軟接觸模式曝光可得到的最小線寬<0.8 μm
以20微米分離模式曝光可得到的最小線寬<1 μm
以30微米分離模式曝光可得到的最小線寬<2 μm
- 深紫外波長光刻最小線寬製備能力:
（以0.5微米厚度的深紫外光刻膠和深紫外波長為例）
以真空/硬接觸模式曝光可得到的最小線寬<0.3 μm
以軟接觸模式曝光可得到的最小線寬<0.5 μm
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- 藍寶石圖形襯底（PSS）工藝製備能力
- SU-8膠光刻可製備300微米厚10:1的深寬比的線條
- 軟/硬接觸,真空接觸以及分離式曝光方式
- 高精度Z軸卡盤具備壓力感應感應器防止誤操作並且具備自動找水準的功能
- 掩膜板支架以及卡盤快裝設計便於使用者快速切換調整應對小片，碎片以及最大到8英寸的基片作業
- 掩膜板可調整範圍+/-45°
- 氮氣吹掃功能可以基片和掩膜板之間吹入氮氣以改善由於基片翹曲造成的漏真空無法密著掩膜板的現象
- 恒定功率、恒定光強電源
- 顯微鏡具備位置記憶功能，可以回復到前一次對準時的精確位置，極大的方便了下次對位作業並提高了工作效率
- 選項提供折射顯微鏡裝置可以將雙目雙視場最小可視間距縮小到10毫米
- 純手動設備產能60-75片/小時（在正常操作員熟練度以及常規工藝情況下）
- 半自動設備產能75-85片/小時（在正常操作員熟練度以及常規情工藝況下）
- 全自動設備產能120-130片/小時（常規工藝情況下）
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